机译:从Si衬底上生长的应变n-Ge量子阱中获得1.55μm直接带隙电致发光
机译:从Si衬底上生长的应变n-Ge量子阱中获得1.55μm直接带隙电致发光
机译:室温下拉伸应变的Ge / SiGe多量子阱的直接带隙电致发光
机译:硅衬底上的应变n-Ge量子阱产生1.55 µm电致发光
机译:基于在结构化衬底上生长的低阈值应变InGaAs / GaAs量子阱激光器的光电器件
机译:Ge虚拟衬底上的拉伸应变Si0.13Ge0.87 / Ge多量子阱的室温电致发光
机译:从Si衬底上生长的应变n-Ge量子阱中获得1.55μm直接带隙电致发光